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    題名: 基板注入遲滯式氧化層崩潰後金氧半場效電晶體特性之研究
    The Study of the Characteristics of MOSFETs after Hysteresis-like Oxide Breakdown under Substrate Injection
    Authors: 黃嘉宏
    Chia-Hong Huang
    Keywords: 基板注入;遲滯形式崩潰;金氧半場效電晶體;臨界電壓;基底電流;轉導;遷移率;雜訊敏感度;功率消耗;可靠度;熱載子效應
    Date: 2005-08
    Issue Date: 2014-11-20 13:58:31 (UTC+8)
    Abstract: 應用研究, 研究期間 9408~9507, 研究經費 444千元
    本計畫擬探討基板注入氧化層發生遲滯形式崩潰後對金氧半場效電晶體電特性 的影響。因此計畫將以遭受熱輻射光能量生長氧化層與氧化後退火增加氧化層發生遲 滯形式崩潰之機率,藉此廣泛研究閘極氧化層發生遲滯形式崩潰後對金氧半場效電晶 體特性的變化。將經由各種不同的電性分析,如電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)、電 壓施加引起漏電流(SILC)、時間相關介電崩潰(TDDB)等特性來檢視此崩潰後對金氧半 場效電晶體的臨界電壓、基底電流、轉導、遷移率、雜訊敏感度、功率消耗與可靠度 之影響。並以所觀察之結果與遭逢熱載子效應後之金氧半場效電晶體特性做比較分 析。期能深入完整地瞭解遲滯形式崩潰對金氧半場效電晶體操作特性的影響,並建立 模型。最後的成果將提供給學術界及工業界參考。
    關聯: 行政院國家科學委員會計畫 / 計畫編號 NSC94-2215-E262-003
    Appears in Collections:[電子工程學系] 研究計畫
    [電子系] 黃嘉宏

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