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    題名: 快速室溫沉積氧化層低成本高效率金氧半太陽能電池之研發
    Development of Low-Cost High Efficient Si MOS Solar Cells with Oxides Rapidly Deposited at Room Temperature
    Authors: 黃嘉宏
    Chia-Hong Huang
    Keywords: 電場輔助室溫液相沉積;蝕刻;太陽能電池;矽氟酸;矽表面型態;奈米結構
    Date: 2006-08
    Issue Date: 2014-11-20 13:58:30 (UTC+8)
    Abstract: 技術發展, 研究期間 9508~9607, 研究經費 422千元
    本研究計畫之目的在於利用電場輔助室溫液相沉積技術快速成長氧化層, 並使用蝕刻技術進行矽表面微結構處理,藉此製作金氧半結構太陽能電池,研發 低成本高效率可量產之光電元件。本計畫共分三期:第一期著重發展以電場輔助矽 氟酸沉積氧化層的技術,嘗試以各種外加電場達成快速成長氧化層的目的,完成 低成本可量產之技術;第二期著重太陽能電池金屬電極種類、圖案與厚度等電 極工程與矽基板濃度與摻雜結構等基板工程對金氧半結構太陽能電池光電轉換 效率影響之研究,期獲得完整的金氧半結構太陽能電池傳導機制,改善金氧半 結構太陽能電池效率;第三期著重運用蝕刻技術探討矽表面型態對金氧半太陽 能電池效率之影響,期以增加表面積改善金氧半結構太陽能電池光電轉換效 率。而微結構表面將有助於未來奈米太陽電池之發展,並藉此提出表面奈米結 構太陽能電池成果供國人參考。
    關聯: 行政院國家科學委員會計畫 / 計畫編號 NSC95-2221-E262-021
    Appears in Collections:[電子工程學系] 研究計畫
    [電子系] 黃嘉宏

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